山西医科大学一院精神科主管技师马锦堂等，在其开展的“精神分裂症治疗前后认知性电位P300变化”研究中发现，精神分裂症患者治疗前的P300（P3）波幅低平，P2-N2峰间潜伏期延长，N2-P3峰间潜伏期缩短等，可能是反应精神分裂症患者大脑异常的素质性指标；P2-N2峰间潜伏期的延长随患者临床症状改善而改善，可能是精神分裂症急性期患者脑功能紊乱的状态性指标。

 

    精神分裂症是一种具有思维、情感、行为等多方面障碍及精神活动不协调的严重精神疾病，是精神科的常见病、多发病之一。近年来，认知性电位（CP）检测逐渐成为临床探讨该病神经电生理机制的重要手段，它为评价人的心理活动提供了一个可行而又客观的方法。精神分裂症患者P3波形异常是以往的研究较为一致的发现，但这些研究绝大多数是横断面研究，而对各波峰间潜伏期的研究较少。

 

    为探讨精神分裂症患者治疗前后认知性电位P3的主要指标变化，尤其是峰间潜伏期变化的意义，进而推断其是精神分裂症素质性指标，还是状态性指标，马锦堂等对35例精神分裂症患者和35名正常人的C2、C3、C4电极位置的P3波进行了对照研究，并观察了药物治疗1个月后达到临床缓解的精神分裂症患者P3波的变化。结果他们发现，与正常对照组相比，治疗前精神分裂症组在C2、C3、C4点的P3波幅降低（P<0.01），N2潜伏期延长（P<0.01），P2-N2峰间潜伏期延长（P<0.01或0.05），N2-P3峰间潜伏期缩短（P<0.01），P2潜伏期延长仅出现在C2、C4点（P<0.05）；经1个月抗精神病药物治疗而达到临床症状缓解的精神分裂症患者，其C2、C3、C4点的P3波幅仍较正常对照组显著降低（P<或=0.01）；N2潜伏期延长并遗留于C2、C3点（P<0.05）；N2-P3峰间潜伏期缩短并遗留于C3点（P<0.05）；P2潜伏期延长并遗留于C4点（P<0.05）；P2-N2峰间潜伏期各位点的差异均无显著性；治疗后，精神分裂症患者C3点的P2-N2峰间潜伏期明显缩短，与正常对照组无显著性差异。

 

    该研究提示，P2-N2峰间潜伏期异常较N2潜伏期异常，更能反映精神分裂症的发作状态，与该病急性期明显的脑功能紊乱关系密切，可能是精神分裂症状态性指标；N2-P3峰间潜伏期缩短，可能是精神分裂症左侧海马受损的素质性指标。

 

（转载自“中国医药报”）